MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3437DV-T1-GE3, VDSS -150 V, ID -1.4 A, TSOP-6 de 6 pines
- Código RS:
- 256-7351
- Nº ref. fabric.:
- SI3437DV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
5,92 €
(exc. IVA)
7,165 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2850 unidad(es) más para enviar a partir del 29 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,184 € | 5,92 € |
| 50 - 95 | 1,06 € | 5,30 € |
| 100 - 245 | 0,848 € | 4,24 € |
| 250 - 995 | 0,826 € | 4,13 € |
| 1000 + | 0,716 € | 3,58 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 256-7351
- Nº ref. fabric.:
- SI3437DV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -1.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -150V | |
| Encapsulado | TSOP-6 | |
| Serie | SI3437DV | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.79Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8nC | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -1.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -150V | ||
Encapsulado TSOP-6 | ||
Serie SI3437DV | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.79Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8nC | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET serie SI3437DV de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 150 V, resistencia de fuente de drenaje de 0,79 Ω - SI3437DV-T1-GE3
Este MOSFET de canal p es un transistor de potencia de montaje en superficie diseñado para funciones de conmutación de alta tensión y gestión de potencia en sistemas electrónicos. Está diseñado para funcionar en un amplio rango de temperaturas para su uso en equipos industriales y comerciales, proporcionando conducción controlada por puerta para aplicaciones que requieren un umbral de fuente de puerta positivo en un entorno de drenaje negativo.
Características y ventajas:
• La alta tensión nominal permite la conmutación a 150 V para circuitos de alimentación • La baja resistencia de conexión minimiza las pérdidas de conducción a 0,79 Ω • La capacidad de corriente continua admite cargas sostenidas de hasta 1,4 A • La carga de puerta típica de 8 nC permite un accionamiento de puerta eficiente y una conmutación más rápida • La disipación de potencia máxima de 3,2 W ayuda al presupuesto térmico en diseños compactos • La resistencia de fuente de puerta de 20 V permite un margen de accionamiento robusto para las etapas de control
Aplicaciones
• Apto para conmutación de carga síncrona en controladores industriales • Ideal para conmutación de polaridad y lado alto en sistemas de gestión de potencia • Se utiliza para la gestión de baterías en electrónica auxiliar de automoción • Se puede utilizar para etapas de convertidor dc-dc de corriente baja a media • Se utiliza con conjuntos compactos de montaje en superficie donde la altura es crítica
¿Qué entorno térmico puede tolerar para un funcionamiento robusto?
El dispositivo está diseñado para funcionar de -55 °C a +150 °C, lo que permite su uso en condiciones de unión ambiente amplias y elevadas.
¿Cómo influye el encapsulado en el diseño a nivel de placa?
El encapsulado de montaje en superficie TSOP-6 con seis contactos facilita la colocación compacta y las rutas de conducción térmica para diseños de alimentación de huella pequeña.
¿Qué debe tenerse en cuenta con respecto a los requisitos de accionamiento de puerta?
La puerta debe accionarse en un rango de ±20 V con respecto a la fuente y la carga de puerta típica de 8 nC informa el tamaño del controlador para lograr la velocidad de conmutación deseada.
¿Cómo funciona el dispositivo con carga eléctrica continua?
Está especificado para una corriente de drenaje continua máxima de 1,4 A y una disipación de potencia de 3,2 W, que se debe utilizar para dimensionar el área de cobre de la PCB y cualquier disipador de calor.