MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3460DDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 7.9 A, TSOP-6 de 6 pines

No disponible actualmente
Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible
Código RS:
256-7356
Nº ref. fabric.:
SI3460DDV-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

TSOP-6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

El canal N de Vishay Semiconductor de 20 V, 7,9 A (Tc), 1,7 W (Ta), 2,7 W (Tc) de montaje superficial 6-TSOP sin halógenos según la definición IEC 61249-2-21.

MOSFET de potencia TrenchFET

100 % Rg probado

100 % probado UIS

Conformidad con la directiva RoHS 2002/95/EC

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.