MOSFET Vishay SI3460DDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 7,9 A, TSOP-6
- Código RS:
- 256-7356
- Nº ref. fabric.:
- SI3460DDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
0,126 €
(exc. IVA)
0,152 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,126 € | 378,00 € |
| 6000 + | 0,123 € | 369,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 256-7356
- Nº ref. fabric.:
- SI3460DDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El canal N de Vishay Semiconductor de 20 V, 7,9 A (Tc), 1,7 W (Ta), 2,7 W (Tc) de montaje superficial 6-TSOP sin halógenos según la definición IEC 61249-2-21.
MOSFET de potencia TrenchFET
100 % Rg probado
100 % probado UIS
Conformidad con la directiva RoHS 2002/95/EC
100 % Rg probado
100 % probado UIS
Conformidad con la directiva RoHS 2002/95/EC
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 7,9 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 20 V |
| Tipo de Encapsulado | TSOP-6 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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