MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3483DDV-T1-GE3, VDSS -30 V, ID -6.4 A, TSOP-6 de 6 pines

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Código RS:
256-7358
Nº ref. fabric.:
SI3483DDV-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-6.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Serie

SI3483DDV

Encapsulado

TSOP-6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0513Ω

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.5nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16V

Tensión directa Vf

-1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

3W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

+150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

MOSFET serie SI3483DDV de Vishay, disipación de potencia máxima de 3 W, tensión de fuente de drenaje máxima de -30 V - SI3483DDV-T1-GE3


Este MOSFET de canal p es un transistor de conmutación de montaje en superficie diseñado para el control electrónico de potencia en conjuntos compactos. Funciona en un amplio rango de temperaturas y es adecuado para aplicaciones de baja tensión que requieren un manejo de corriente moderado y una conducción eficiente. El dispositivo se suministra en un encapsulado TSOP-6 y está especificado para entornos de fabricación estándar RoHS.

Características y ventajas:


• La baja Rds(on) de 0,0513 Ω permite reducir las pérdidas por conducción
• La corriente de drenaje continua máxima de -6,4 A admite corrientes de carga moderadas
• La tensión nominal de fuente de drenaje de -30 V permite la conmutación de baja tensión
• El umbral de puerta que permite Vgs hasta 16 V proporciona un rango de accionamiento flexible
• La carga de puerta típica de 4,5 nC proporciona una conmutación más rápida para mayor eficiencia
• La disipación de potencia de 3 W limita la carga térmica para diseños compactos

Aplicaciones


• Se utiliza para la protección de baterías inversas en electrónica portátil
• Adecuado para conmutación de carga en carriles de distribución de potencia
• Ideal para conmutación de lado alto en sistemas de gestión de baterías
• Puede utilizarse para circuitos de selección de ruta de alimentación USB
• Se utiliza con puertas de motor-controlador en sistemas de baja tensión

¿Qué extremos térmicos puede tolerar el dispositivo en funcionamiento?


Está diseñado para funcionar de -55 °C a +150 °C, lo que permite su uso en condiciones ambientales hostiles y temperaturas elevadas de la placa.

¿Cuántos contactos y qué estilo de montaje utiliza?


El encapsulado tiene seis contactos y está diseñado para montaje en superficie en placas pobladas.

¿Qué tipo de canal y polaridad de conducción deben esperarse?


El transistor es un dispositivo de canal P, por lo que las funciones de fuente y drenaje se alinean con las configuraciones de conmutación de tipo P.

¿Es adecuado para los requisitos estándar de automoción?


No está designado como componente estándar de automoción y no debe suponerse que cumple criterios de calificación específicos de automoción.

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