MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3483DDV-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6.4 A, TSOP-6 de 6 pines
- Código RS:
- 256-7359
- Nº ref. fabric.:
- SI3483DDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 256-7359
- Nº ref. fabric.:
- SI3483DDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TSOP-6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TSOP-6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El canal P de 30 V de 6,4 A (Ta), 8 A (Tc) de 2 W (Ta), 3 W (Tc) de Vishay Semiconductor tiene montaje en superficie y el tipo de encapsulado es 6-TSOP.
MOSFET de potencia de canal P TrenchFET gen IV
Probado al 100 % Rg y UIS
Montaje superficial en placa 1 x 1 FR4
El máximo en condiciones de estado estable es de 110 °C/W
