MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3460DDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 7.9 A, TSOP-6 de 6 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
256-7357
Nº ref. fabric.:
SI3460DDV-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

TSOP-6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

El canal N de Vishay Semiconductor de 20 V, 7,9 A (Tc), 1,7 W (Ta), 2,7 W (Tc) de montaje superficial 6-TSOP sin halógenos según la definición IEC 61249-2-21.

MOSFET de potencia TrenchFET

100 % Rg probado

100 % probado UIS

Conformidad con la directiva RoHS 2002/95/EC

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