MOSFET Vishay SI3460DDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 7,9 A, TSOP-6
- Código RS:
- 256-7357
- Nº ref. fabric.:
- SI3460DDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
2550 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
0,308 €
(exc. IVA)
0,373 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,308 € | 7,70 € |
| 50 - 75 | 0,302 € | 7,55 € |
| 100 - 225 | 0,235 € | 5,875 € |
| 250 - 975 | 0,231 € | 5,775 € |
| 1000 + | 0,14 € | 3,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 256-7357
- Nº ref. fabric.:
- SI3460DDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El canal N de Vishay Semiconductor de 20 V, 7,9 A (Tc), 1,7 W (Ta), 2,7 W (Tc) de montaje superficial 6-TSOP sin halógenos según la definición IEC 61249-2-21.
MOSFET de potencia TrenchFET
100 % Rg probado
100 % probado UIS
Conformidad con la directiva RoHS 2002/95/EC
100 % Rg probado
100 % probado UIS
Conformidad con la directiva RoHS 2002/95/EC
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 7,9 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 20 V |
| Tipo de Encapsulado | TSOP-6 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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