MOSFET, N-Canal Vishay SI8424CDB-T1-E1, VDSS 8 V, ID 6.3 A, WLCSP de 4 pines

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Código RS:
256-7396
Nº ref. fabric.:
SI8424CDB-T1-E1
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

8V

Encapsulado

WLCSP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.024Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

600μm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El canal N de 8 V, 6,3 A (Ta) de 1,1 W (Ta), 2,7 W (Tc) de Vishay Semiconductor tiene montaje en superficie con tipo de encapsulado de 4 micropies y sus aplicaciones son informática móvil, smartphones, tablet PC.

MOSFET de potencia TrenchFET

Baja resistencia de encendido

Ultrapequeño contorno máximo de 1,6 mm x 1,6 mm

Altura máxima ultradelgada de 0,6 mm

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