MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 12 V, ID 6 A, Mejora, WLCSP de 4 pines
- Código RS:
- 153-2851
- Nº ref. fabric.:
- PMCM4401VNEAZ
- Fabricante:
- Nexperia
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- Código RS:
- 153-2851
- Nº ref. fabric.:
- PMCM4401VNEAZ
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Encapsulado | WLCSP | |
| Serie | PMCM4401VNE | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 120mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 12.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.16mm | |
| Longitud | 0.81mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Encapsulado WLCSP | ||
Serie PMCM4401VNE | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 120mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 12.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.16mm | ||
Longitud 0.81mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N ≤ 20 V. Las soluciones de conmutación óptimas para sus diseños portátiles. Elija entre una amplia gama de MOSFET de canal N individuales o dobles de hasta 20 V. Excelente fiabilidad gracias a nuestras fiables tecnologías TrenchMOS y de encapsulado Fáciles de usar, nuestros MOSFET de baja tensión están diseñados específicamente para satisfacer las exigencias de las aplicaciones portátiles con bajo nivel de tensión.
MOSFET de zanja de canal N, 12 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de tamaño de chip de nivel de oblea (WLCSP) de 4 resaltes con tecnología Trench MOSFET.
Baja tensión de umbral
Encapsulado ultrapequeño: 0,78 x 0,78 x 0,35 mm
Tecnología MOSFET Trench
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 2 kV HBM
Controlador de relé
Controlador de línea de alta velocidad
Interruptor de carga de lado bajo
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