MOSFET Nexperia PMCM4401VNEAZ, VDSS 12 V, ID 6 A, WLCSP de 4 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N ≤ 20 V. Las soluciones de conmutación óptimas para sus diseños portátiles. Elija entre una amplia gama de MOSFET de canal N individuales o dobles de hasta 20 V. Excelente fiabilidad gracias a nuestras fiables tecnologías TrenchMOS y de encapsulado Fáciles de usar, nuestros MOSFET de baja tensión están diseñados específicamente para satisfacer las exigencias de las aplicaciones portátiles con bajo nivel de tensión.

MOSFET de zanja de canal N, 12 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de tamaño de chip de nivel de oblea (WLCSP) de 4 resaltes con tecnología Trench MOSFET.

Baja tensión de umbral
Encapsulado ultrapequeño: 0,78 x 0,78 x 0,35 mm
Tecnología MOSFET Trench
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 2 kV HBM
Controlador de relé
Controlador de línea de alta velocidad
Interruptor de carga de lado bajo
Circuitos de conmutación