MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 12 V, ID 6 A, Mejora, WLCSP de 4 pines

Código RS:: 153-2851
Nº ref. fabric.:: PMCM4401VNEAZ
Fabricante:: Nexperia

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 12 V, ID 6 A, Mejora, WLCSP de 4 pines

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Código RS:: 153-2851
Nº ref. fabric.:: PMCM4401VNEAZ
Fabricante:: Nexperia

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Nexperia
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	12V
	Encapsulado	WLCSP
	Serie	PMCM4401VNE
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	120mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8 V
	Disipación de potencia máxima Pd	12.5W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	6nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	0.16mm
	Longitud	0.81mm
	Anchura	0.81 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Nexperia
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V
	Encapsulado WLCSP
	Serie PMCM4401VNE
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 120mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V
	Disipación de potencia máxima Pd 12.5W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 0.16mm
	Longitud 0.81mm
	Anchura 0.81 mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal N ≤ 20 V. Las soluciones de conmutación óptimas para sus diseños portátiles. Elija entre una amplia gama de MOSFET de canal N individuales o dobles de hasta 20 V. Excelente fiabilidad gracias a nuestras fiables tecnologías TrenchMOS y de encapsulado Fáciles de usar, nuestros MOSFET de baja tensión están diseñados específicamente para satisfacer las exigencias de las aplicaciones portátiles con bajo nivel de tensión.

MOSFET de zanja de canal N, 12 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de tamaño de chip de nivel de oblea (WLCSP) de 4 resaltes con tecnología Trench MOSFET.

Baja tensión de umbral

Encapsulado ultrapequeño: 0,78 x 0,78 x 0,35 mm

Tecnología MOSFET Trench

Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 2 kV HBM

Controlador de relé

Controlador de línea de alta velocidad

Interruptor de carga de lado bajo

Circuitos de conmutación

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 12 V, ID 6 A, Mejora, WLCSP de 4 pines

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