MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PMPB215ENEAX, VDSS 80 V, ID 2.8 A, Mejora, DFN de 8 pines

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Código RS:
151-3200
Nº ref. fabric.:
PMPB215ENEAX
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

445mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

15.6W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2.1 mm

Longitud

2.1mm

Altura

0.65mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de zanja de canal N individual, 80 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN2020MD-6 (SOT1220) sin plomo y de media potencia que utiliza tecnología Trench MOSFET

Tecnología MOSFET Trench

Encapsulado de plástico SMD pequeño, ultradelgado y sin plomo: 2 x 2 x 0,65 mm

Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica

Almohadillas laterales de soldadura estañadas 100% para inspección óptica

Certificación AEC-Q101

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