MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFH5301TRPBF, VDSS 30 V, ID 100 A, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 257-5887
- Nº ref. fabric.:
- IRFH5301TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,70 € | 3,50 € |
| 50 - 120 | 0,624 € | 3,12 € |
| 125 - 245 | 0,59 € | 2,95 € |
| 250 - 495 | 0,444 € | 2,22 € |
| 500 + | 0,432 € | 2,16 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-5887
- Nº ref. fabric.:
- IRFH5301TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.85mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 37nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 0.9mm | |
| Longitud | 6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.85mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 0.9mm | ||
Longitud 6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de MOSFET de potencia strongIRFET de Infineon está optimizada para RDS bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones conmutadas a continuación <100 kHz
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Amplio catálogo disponible