MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF7329TRPBF, VDSS -12 V, ID -7.4 A, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
257-9308
Nº ref. fabric.:
IRF7329TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-7.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-12V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SO-8

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

199mΩ

Tensión directa Vf

-1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.1nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±8 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.75mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

5mm

Anchura

4 mm

Estándar de automoción

No

La serie IRF de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de canal P doble de -12 V en un encapsulado SO 8.

Conformidad con RoHS

RDS bajo (encendido)

MOSFET de canal P doble

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