MOSFET, N-Canal Infineon IRFH5302TRPBF, VDSS 30 V, ID 100 A, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 257-9373
- Nº ref. fabric.:
- IRFH5302TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 257-9373
- Nº ref. fabric.:
- IRFH5302TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRFH de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de un canal n de 30 V en un encapsulado PQFN 5x6. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Amplia cartera disponible