MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC012N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 306 A, TSON
- Código RS:
- 258-0679
- Nº ref. fabric.:
- BSC012N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
2,81 €
(exc. IVA)
3,40 €
(inc.IVA)
Añade 32 unidades para conseguir entrega gratuita
Disponible
- Disponible(s) 4043 unidad(es) más para enviar a partir del 03 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,81 € |
| 10 - 24 | 2,67 € |
| 25 - 49 | 2,56 € |
| 50 - 99 | 2,44 € |
| 100 + | 2,28 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-0679
- Nº ref. fabric.:
- BSC012N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 306A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 306A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET OptiMOS de Infineon en encapsulado SuperSO8 amplían la cartera de productos OptiMOS 3 y 5 y permiten una mayor densidad de potencia además de mejorar la robustez, respondiendo a la necesidad de reducir el coste del sistema y aumentar el rendimiento. La carga de recuperación inversa baja mejora la fiabilidad del sistema al proporcionar una reducción significativa del exceso de tensión, lo que minimiza la necesidad de circuitos reductores, lo que se traduce en menos costes y esfuerzos de ingeniería.
Temperatura de carga completa más baja
Menos paralelización
Reducción de sobrecorriente
Mayor densidad de potencia del sistema
Tamaño más pequeño
