MOSFET, N-Canal Infineon BSC012N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 306 A, Mejora, TSON de 8 pines
- Código RS:
- 258-0679
- Nº ref. fabric.:
- BSC012N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Consigue un descuento por cantidad
Añade 10 más para ahorrar 2,60 €
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
5,14 €
(exc. IVA)
6,22 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 4023 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Ahorro |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 5,14 € | - |
| 10 - 24 | 4,88 € | 2,60 € |
| 25 - 49 | 4,69 € | 11,25 € |
| 50 - 99 | 4,48 € | 33,00 € |
| 100 + | 4,18 € | 96,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-0679
- Nº ref. fabric.:
- BSC012N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 306A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | TSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 214W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 306A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado TSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 214W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de drenaje-fuente de 60 V, corriente de drenaje continua de 306 A - BSC012N06NSATMA1
Este MOSFET es un transistor de mejora de canal N de alta corriente diseñado para aplicaciones de conmutación y conversión de potencia de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos exigentes y admite tensiones de accionamiento de puerta hasta el límite especificado. El dispositivo se suministra en un encapsulado TSON compacto para montaje en PCB de perfil bajo y cumple las restricciones ambientales de RoHS.
Características y ventajas:
• La baja resistencia de encendido reduce las pérdidas por conducción para diseños de alta eficiencia
• La alta corriente continua permite montajes compactos de alta potencia
• La disipación de potencia sustancial soporta cargas térmicas sostenidas
• El amplio rango de temperaturas de funcionamiento mantiene el rendimiento en condiciones exigentes
• La tolerancia de puerta permite implementaciones de accionamiento de puerta robustas para circuitos de conmutación
• La alta corriente continua permite montajes compactos de alta potencia
• La disipación de potencia sustancial soporta cargas térmicas sostenidas
• El amplio rango de temperaturas de funcionamiento mantiene el rendimiento en condiciones exigentes
• La tolerancia de puerta permite implementaciones de accionamiento de puerta robustas para circuitos de conmutación
Aplicaciones
• Adecuado para convertidores dc-dc de alta corriente en fuentes de alimentación
• Ideal para rectificación síncrona en etapas de gestión de potencia
• Se utiliza con inversores de accionamiento por motor que requieren soluciones de montaje en superficie
• Puede utilizarse para servidores y módulos de distribución de energía de telecomunicaciones
• Ideal para rectificación síncrona en etapas de gestión de potencia
• Se utiliza con inversores de accionamiento por motor que requieren soluciones de montaje en superficie
• Puede utilizarse para servidores y módulos de distribución de energía de telecomunicaciones
¿Qué método de montaje se recomienda para una conexión de PCB fiable?
El dispositivo se suministra como un componente de montaje en superficie en un encapsulado TSON diseñado para soldar a almohadillas de PCB para montaje de perfil bajo.
¿Cómo afecta la tensión nominal de la puerta a la selección del controlador?
La tensión máxima de puerta a fuente es de 20 V, por lo que los controladores no deben superar este umbral para evitar daños en la puerta.
¿Qué límites térmicos deben tenerse en cuenta para un funcionamiento continuo?
La pieza puede disipar hasta 214 W
la gestión térmica debe garantizar que las temperaturas de unión permanezcan dentro del rango de funcionamiento permitido.
¿Es adecuado el dispositivo para la certificación de automoción?
El componente no cumple los estándares de automoción y debe evaluarse en consecuencia.
¿Qué características de diodo de avance son relevantes para diseños síncronos?
El diodo intrínseco presenta una tensión directa de 1,2 V que influye en el comportamiento de conducción y recuperación en circuitos de rectificación.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V TSON
- MOSFET ID 205 A, TSON
- MOSFET ID 205 A, TSON
- MOSFET de potencia VDSS 60 V Mejora, PG-TSON-12 de 12 pines
- MOSFET de potencia VDSS 60 V Mejora, PG-TSON-12 de 12 pines
- MOSFET de potencia VDSS 60 V Mejora, PG-TSON-12 de 12 pines
- MOSFET de potencia VDSS 60 V Mejora, PG-TSON-12 de 12 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines