MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC012N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 306 A, TSON

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Código RS:
258-0679
Nº ref. fabric.:
BSC012N06NSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

306A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TSON

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15mΩ

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Los MOSFET OptiMOS de Infineon en encapsulado SuperSO8 amplían la cartera de productos OptiMOS 3 y 5 y permiten una mayor densidad de potencia además de mejorar la robustez, respondiendo a la necesidad de reducir el coste del sistema y aumentar el rendimiento. La carga de recuperación inversa baja mejora la fiabilidad del sistema al proporcionar una reducción significativa del exceso de tensión, lo que minimiza la necesidad de circuitos reductores, lo que se traduce en menos costes y esfuerzos de ingeniería.

Temperatura de carga completa más baja

Menos paralelización

Reducción de sobrecorriente

Mayor densidad de potencia del sistema

Tamaño más pequeño

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