MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC012N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 306 A, TSON
- Código RS:
- 258-0679
- Nº ref. fabric.:
- BSC012N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-0679
- Nº ref. fabric.:
- BSC012N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 306A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | TSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 306A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado TSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET OptiMOS de Infineon en encapsulado SuperSO8 amplían la cartera de productos OptiMOS 3 y 5 y permiten una mayor densidad de potencia además de mejorar la robustez, respondiendo a la necesidad de reducir el coste del sistema y aumentar el rendimiento. La carga de recuperación inversa baja mejora la fiabilidad del sistema al proporcionar una reducción significativa del exceso de tensión, lo que minimiza la necesidad de circuitos reductores, lo que se traduce en menos costes y esfuerzos de ingeniería.
Temperatura de carga completa más baja
Menos paralelización
Reducción de sobrecorriente
Mayor densidad de potencia del sistema
Tamaño más pequeño
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