MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, ID 205 A, TSON
- Código RS:
- 258-3920
- Nº ref. fabric.:
- IQE013N04LM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*
3.480,00 €
(exc. IVA)
4.210,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponibilidad de stock no accesible
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,696 € | 3.480,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3920
- Nº ref. fabric.:
- IQE013N04LM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 205A | |
| Encapsulado | TSON | |
| Serie | IQE | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 35mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 205A | ||
Encapsulado TSON | ||
Serie IQE | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 35mΩ | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon es el mejor MOSFET de potencia de su clase que optimiza la experiencia del usuario final desafiando el status quo en densidad de potencia y factor de forma. Un objetivo en el diseño de herramientas eléctricas es minimizar las restricciones internas de los requisitos de área de PCB, lo que permite un diseño más ergonómico. Mover el inversor del mango al cabezal minimiza el volumen de la carcasa del motor de la herramienta eléctrica al tiempo que mantiene el par de la herramienta a un nivel razonablemente alto para una acción rápida y sencilla.
Rendimiento térmico superior en RthJC
Posibilidades de diseño optimizadas
Tamaño estándar y de puerta central
Capacidad de corriente alta
Uso más eficiente del área de PCB
La densidad de potencia y el rendimiento más altos
Huella optimizada para paralelización de MOSFET con puerta central