MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE013N04LM6CGATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, TTFN

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Código RS:
258-3923
Nº ref. fabric.:
IQE013N04LM6CGATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

205A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

IQE

Encapsulado

TTFN

Tipo de montaje

Superficie

Tensión directa Vf

1V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS de 40 V en un encapsulado de puerta central de fuente descendente PQFN de 3,3 x 3,3. Este MOSFET de potencia mejor de su clase desafía el statu quo en densidad de potencia y factor de forma en la aplicación final. Un objetivo en el diseño de herramientas eléctricas es minimizar las restricciones internas de los requisitos de área de PCB, lo que permite un diseño ergonómico y optimiza la experiencia del usuario final. El movimiento simultáneo del inversor del mango al cabezal minimiza el volumen de la carcasa del motor de la herramienta eléctrica al tiempo que mantiene el par de la herramienta a un nivel razonablemente alto para una acción rápida y sencilla.

Capacidad de corriente alta

Uso más eficiente del área de PBC

La densidad de potencia y el rendimiento más altos

Huella optimizada para paralelización de MOSFET con puerta central

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