MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 223 A, N, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 258-0705
- Nº ref. fabric.:
- BSZ009NE2LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5000 + | 1,018 € | 5.090,00 € |
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- Código RS:
- 258-0705
- Nº ref. fabric.:
- BSZ009NE2LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 223A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Serie | BSZ | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 223A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Serie BSZ | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS 5 de 25 V en el pequeño encapsulado PQFN de 3,3 x 3 x 3 mm. Este dispositivo ofrece el RDS(on) más bajo del sector de 0,9 mΩ a 10 V y está dirigido principalmente a aplicaciones de conmutación de carga y entrada de orificios.
Cargas muy bajas
Ideal para aplicaciones de alto rendimiento
Conformidad con RoHS - sin halógenos