MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ009NE2LS5ATMA1, VDSS 25 V, ID 223 A, N, TSDSON de 8 pines

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Código RS:
258-0706
Nº ref. fabric.:
BSZ009NE2LS5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

223A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

TSDSON

Serie

BSZ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15mΩ

Modo de canal

N

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS 5 de 25 V en el pequeño encapsulado PQFN de 3,3 x 3 x 3 mm. Este dispositivo ofrece el RDS(on) más bajo del sector de 0,9 mΩ a 10 V y está dirigido principalmente a aplicaciones de conmutación de carga y entrada de orificios.

Cargas muy bajas

Ideal para aplicaciones de alto rendimiento

Conformidad con RoHS - sin halógenos

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