MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 158 A, N, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 258-0709
- Nº ref. fabric.:
- BSZ018N04LS6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-0709
- Nº ref. fabric.:
- BSZ018N04LS6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 158A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | BSZ | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 780mV | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 158A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie BSZ | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 780mV | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie BSZ de Infineon, tensión máxima de drenaje-fuente de 40 V, corriente de drenaje continua máxima de 158 A - BSZ018N04LS6ATMA1
Características y ventajas:
• La alta disipación de potencia de 83 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta típica de 31 nC admite un control de conmutación eficiente
• La baja tensión directa de 0,78 V reduce la caída de tensión en estado activo
• Amplio rango de funcionamiento de -55 °C a 175 °C para usar en condiciones hostiles
Aplicaciones
• Ideal para funciones de MOSFET SMD de alta corriente en fuentes de alimentación
• Se utiliza con diseños de montaje en superficie que requieren un tamaño de 8 pines TSDSON
• Se puede utilizar para conmutar en módulos compactos de alta potencia
