MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ018N04LS6ATMA1, VDSS 40 V, ID 158 A, N, TSDSON de 8 pines

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Código RS:
258-0710
Nº ref. fabric.:
BSZ018N04LS6ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

158A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TSDSON

Serie

BSZ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.7mΩ

Modo de canal

N

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.78V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS

Estándar de automoción

No

La familia de MOSFET de potencia Infineon OptiMOS 6 de 40 V está optimizada para una gran variedad de aplicaciones y circuitos, como la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado en servidores, ordenadores de sobremesa, cargadores inalámbricos, cargadores rápidos y circuitos ORing. Las mejoras en la resistencia de estado activo permiten a los diseñadores aumentar la eficiencia, lo que facilita el diseño térmico y reduce el paralelismo, lo que reduce los costes del sistema.

Eficiencia del sistema más alta

Menos paralelismo necesario

Mayor densidad de potencia

Sobrecarga de tensión muy baja

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