MOSFET Infineon BSZ019N03LSATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, PG-TSDSON-8-FL

Código RS:: 259-1478
Nº ref. fabric.:: BSZ019N03LSATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSZ019N03LSATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, PG-TSDSON-8-FL

4985 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 5000)

0,65 €

(exc. IVA)

0,79 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
5000 +	0,65 €	3.250,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 259-1478
Nº ref. fabric.:: BSZ019N03LSATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - BSZ019N03LSATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET de potencia de canal n de Infineon tiene una carga de salida y puerta ultrabaja, junto con la resistencia de estado encendido más baja en encapsulados de tamaño pequeño, lo que convierte a Optimos 30V en la mejor elección para los requisitos exigentes de soluciones de regulador de tensión en aplicaciones de servidores, datos y telecomunicaciones. Los productos de 30 V optimos se adaptan a las necesidades de gestión de potencia en ordenadores portátiles mediante un mejor comportamiento EMI, así como una mayor duración de la batería. Disponible en configuración de medio puente.

Mayor duración de la batería
Comportamiento EMI mejorado que convierte a las redes de reductoras externas en obsoletas
Ahorro de costes
Ahorro de espacio
Reducción de pérdidas de potencia

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	PG-TSDSON-8-FL
Tipo de Montaje	Montaje superficial

MOSFET Infineon BSZ019N03LSATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, PG-TSDSON-8-FL

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