MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 102 A, N, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 259-1483
- Nº ref. fabric.:
- BSZ0902NSIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 259-1483
- Nº ref. fabric.:
- BSZ0902NSIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 102A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.8Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 102A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.8Ω | ||
Modo de canal N | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia Infineon tiene una carga de salida y puerta ultrabaja, junto con la resistencia de estado encendido más baja en encapsulados de tamaño pequeño, lo que convierte a OptiMOS de 25 V en la mejor elección para los requisitos exigentes de soluciones de regulador de tensión en aplicaciones de servidores, comunicaciones de datos y telecomunicaciones. Se ha adaptado a las necesidades de gestión de potencia en ordenadores portátiles mediante un comportamiento EMI mejorado, así como una mayor duración de la batería.
Carga de salida y puerta ultrabaja
Resistencia de estado encendido más baja en encapsulados de tamaño pequeño
Fácil de diseñar
Mayor duración de la batería
Comportamiento EMI mejorado que convierte a las redes de reductoras externas en obsoletas
Ahorro de costes
Ahorro de espacio
Reducción de pérdidas de potencia
