MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB60R299CPAATMA1, VDSS 600 V, ID 11 A, N, TO-263

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Código RS:
258-3809
Nº ref. fabric.:
IPB60R299CPAATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

iPB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40.7mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de potencia CoolMOS de Infineon tiene una capacidad de corriente de pico alta, su certificación AEC Q101 de automoción.

Carga de puerta ultrabaja

Valor nominal dv/dt extremo

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