MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 61 A, TO-252
- Código RS:
- 258-3998
- Nº ref. fabric.:
- IRLR3915TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3998
- Nº ref. fabric.:
- IRLR3915TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 61A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 17mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 61nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 120W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 61A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 61nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 120W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este producto son una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y mejor calificación de avalancha repetitiva. Estas características se combinan para que este diseño sea un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzada
Resistencia de conexión muy baja
Conmutación rápida