MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR2405TRLPBF, VDSS 55 V, ID 56 A, TO-252
- Código RS:
- 258-3984
- Nº ref. fabric.:
- IRFR2405TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,904 € | 4,52 € |
| 50 - 120 | 0,832 € | 4,16 € |
| 125 - 245 | 0,78 € | 3,90 € |
| 250 - 495 | 0,724 € | 3,62 € |
| 500 + | 0,67 € | 3,35 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3984
- Nº ref. fabric.:
- IRFR2405TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 56A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 16mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 56A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 16mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de MOSFET Infineon R de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones como motores de dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería. Los dispositivos están disponibles en una variedad de encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante con huellas estándar del sector para facilitar el diseño.
Estructura de celda planar para SOA amplio
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Amplia disponibilidad de socios de distribución
