MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR3710ZTRPBF, VDSS 100 V, ID 56 A, TO-252
- Código RS:
- 257-5855
- Nº ref. fabric.:
- IRFR3710ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,116 € | 10,58 € |
| 25 - 45 | 1,906 € | 9,53 € |
| 50 - 120 | 1,776 € | 8,88 € |
| 125 - 245 | 1,648 € | 8,24 € |
| 250 + | 0,846 € | 4,23 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-5855
- Nº ref. fabric.:
- IRFR3710ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 56A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 69nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Anchura | 2.39 mm | |
| Altura | 10.41mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Distrelec Product Id | 304-40-539 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 56A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 69nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 6.73mm | ||
Anchura 2.39 mm | ||
Altura 10.41mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Distrelec Product Id 304-40-539 | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Otras características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado. Estas características se combinan para que el diseño sea un dispositivo muy eficiente y fiable de usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzados
Resistencia de conexión ultrabaja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Múltiples opciones de encapsulado
Sin plomo