MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 56 A, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-4456
Nº ref. fabric.:
IRFR3710ZTRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

56A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

18mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

140W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

100nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado.

Su diseño es extremadamente eficiente y fiable

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