MOSFET, N-Canal Infineon IPD060N03LGATMA1, VDSS 30 V, ID 50 A, N, TO-263
- Código RS:
- 258-7772
- Nº ref. fabric.:
- IPD060N03LGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-7772
- Nº ref. fabric.:
- IPD060N03LGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Modo de canal | N | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Modo de canal N | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia OptiMOS 3 de Infineon tiene una carga de salida y puerta ultrabaja, junto con la resistencia de estado en funcionamiento más baja en encapsulados de tamaño pequeño, lo que lo convierte en la mejor elección para los requisitos exigentes de soluciones de regulador de tensión en aplicaciones de servidores, comunicaciones de datos y telecomunicaciones.
Mayor duración de la batería
Reducción de pérdidas de potencia
Fácil de diseñar