MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ036NE2LSATMA1, VDSS 25 V, ID 40 A, N, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 259-1482
- Número de artículo Distrelec:
- 304-40-502
- Nº ref. fabric.:
- BSZ036NE2LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
4,84 €
(exc. IVA)
5,86 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 5000 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,484 € | 4,84 € |
| 100 - 240 | 0,46 € | 4,60 € |
| 250 - 490 | 0,45 € | 4,50 € |
| 500 - 990 | 0,42 € | 4,20 € |
| 1000 + | 0,272 € | 2,72 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 259-1482
- Número de artículo Distrelec:
- 304-40-502
- Nº ref. fabric.:
- BSZ036NE2LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.1Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.1Ω | ||
Modo de canal N | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de productos de 25 V optimos de Infineon, Infineon establece nuevos estándares en densidad de potencia y eficiencia energética para MOSFET de potencia discretos y sistema en encapsulado. La carga de salida y puerta ultrabaja, junto con la resistencia de encendido más baja en encapsulados pequeños, convierten a optimos de 25 V en la mejor elección para los requisitos exigentes de soluciones de regulador de tensión en aplicaciones de servidores, comunicaciones de datos y telecomunicaciones. Disponible en configuración de medio puente (etapa de potencia 5 x 6). Minimiza las EMI en el sistema, lo que hace que las redes de protección externa sean obsoletas y que los productos sean fáciles de diseñar.
Ahorre costes generales del sistema reduciendo el número de fases en convertidores multifásicos
Reduce las pérdidas de potencia y aumenta la eficiencia para todas las condiciones de carga
Ahorre espacio con los encapsulados más pequeños como CanPAK, S3O8 o solución de sistema en encapsulado
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 25 V N, TSDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 25 V N, TSDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 25 V N, TSDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 25 V Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 25 V N, TSDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 25 V N, TSDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 25 V Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 25 V Mejora, TSDSON de 8 pines