MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPTG054N15NM5ATMA1, VDSS 150 V, ID 143 A, HSOG de 8 pines
- Código RS:
- 259-2738
- Nº ref. fabric.:
- IPTG054N15NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 259-2738
- Nº ref. fabric.:
- IPTG054N15NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 143A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | HSOG | |
| Serie | IPT | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 55.4mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 58nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.83V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Anchura | 8.75 mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 143A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado HSOG | ||
Serie IPT | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 55.4mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.83V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.1mm | ||
Anchura 8.75 mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
Los dispositivos MOSFET de potencia industrial Infineon OptiMOS 5 en 80 V y 100 V están diseñados para rectificación síncrona en aplicaciones de alimentación de servidor y telecomunicaciones, pero también son la elección ideal para otras aplicaciones como unidades solares, de baja tensión y adaptadores para portátiles. Con una amplia cartera de encapsulados, esta familia de MOSFET de potencia ofrece el RDS(on) más bajo del sector. Uno de los mayores contribuyentes a esta cifra de mérito (FOM) líder del sector es la baja resistencia en estado activo con un valor tan bajo como 2,7 mΩ en el encapsulado SuperSO8, que proporciona el nivel más alto de densidad de potencia y eficiencia.
Canal N, nivel normal
Resistencia de conexión muy baja RDS(on)
Resistencia térmica superior
100 % probado contra avalanchas
Chapado de cable sin plomo; Conformidad con RoHS
Sin halógenos conforme a IEC61249-2-21