MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 122 A, HSOG de 8 pines
- Código RS:
- 259-2739
- Nº ref. fabric.:
- IPTG063N15NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 259-2739
- Nº ref. fabric.:
- IPTG063N15NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 122A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | HSOG | |
| Serie | IPT | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.3mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 214W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 50nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.84V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 8.75 mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 122A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado HSOG | ||
Serie IPT | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.3mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 214W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 50nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.84V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 8.75 mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Longitud 10.1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
Los dispositivos MOSFET de potencia industrial Infineon OptiMOS 5 en 80 V y 100 V están diseñados para rectificación síncrona en aplicaciones de alimentación de servidor y telecomunicaciones, pero también son la elección ideal para otras aplicaciones como unidades solares, de baja tensión y adaptadores para portátiles. Con una amplia cartera de encapsulados, esta familia de MOSFET de potencia ofrece el RDS(on) más bajo del sector. Uno de los mayores contribuyentes a esta cifra de mérito (FOM) líder del sector es la baja resistencia en estado activo con un valor tan bajo como 2,7 mΩ en el encapsulado SuperSO8, que proporciona el nivel más alto de densidad de potencia y eficiencia.
Canal N, nivel normal
Resistencia de conexión muy baja RDS(on)
Resistencia térmica superior
100 % probado contra avalanchas
Chapado de cable sin plomo; Conformidad con RoHS
Sin halógenos conforme a IEC61249-2-22