MOSFET Infineon IPTG063N15NM5ATMA1, VDSS 150 V, ID 143 A, PG-HSOG-8 de 8 pines

Código RS:: 259-2740
Nº ref. fabric.:: IPTG063N15NM5ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPTG063N15NM5ATMA1, VDSS 150 V, ID 143 A, PG-HSOG-8 de 8 pines

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio Unidad

5,44 €

(exc. IVA)

6,58 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 9	5,44 €
10 - 24	4,90 €
25 - 49	4,57 €
50 - 99	4,25 €
100 +	3,92 €

Código RS:: 259-2740
Nº ref. fabric.:: IPTG063N15NM5ATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPTG063N15NM5ATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Los dispositivos MOSFET de potencia industrial Infineon OptiMOS 5 en 80 V y 100 V están diseñados para rectificación síncrona en aplicaciones de alimentación de servidor y telecomunicaciones, pero también son la elección ideal para otras aplicaciones como unidades solares, de baja tensión y adaptadores para portátiles. Con una amplia cartera de encapsulados, esta familia de MOSFET de potencia ofrece el RDS(on) más bajo del sector. Uno de los mayores contribuyentes a esta cifra de mérito (FOM) líder del sector es la baja resistencia en estado activo con un valor tan bajo como 2,7 mΩ en el encapsulado SuperSO8, que proporciona el nivel más alto de densidad de potencia y eficiencia.

Canal N, nivel normal
Resistencia de conexión muy baja RDS(on)
Resistencia térmica superior
100 % probado contra avalanchas
Chapado de cable sin plomo

Conformidad con RoHS
Sin halógenos conforme a IEC61249-2-22

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	143 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	150 V
Tipo de Encapsulado	PG-HSOG-8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Infineon IPTG063N15NM5ATMA1, VDSS 150 V, ID 143 A, PG-HSOG-8 de 8 pines

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