MOSFET, Doble N-Canal STMicroelectronics, VDSS 95 V, LBB de 5 pines

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Código RS:
261-5583
Nº ref. fabric.:
RF5L15120CB4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Doble N

Tipo de producto

MOSFET

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

95V

Encapsulado

LBB

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5.85 mm

Longitud

28.95mm

Certificaciones y estándares

2002/95/EC

Altura

2.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El FET LDMOS de 120 W de STMicroelectronics, diseñado para comunicaciones comerciales de banda ancha, radiodifusión de TV, aeronáutica y aplicaciones industriales con frecuencias de HF a 1,5 GHz. Se puede utilizar en clase AB/B y clase C para todos los formatos de modulación típicos.

Operaciones de alta eficiencia y ganancia lineal

Protección contra ESD integrada

Amplio rango de tensión de fuente o puerta positiva y negativa

Excelente estabilidad térmica, baja deriva HCI

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