MOSFET, Doble N-Canal STMicroelectronics, VDSS 95 V, LBB de 5 pines
- Código RS:
- 261-5583
- Nº ref. fabric.:
- RF5L15120CB4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 261-5583
- Nº ref. fabric.:
- RF5L15120CB4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Doble N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 95V | |
| Encapsulado | LBB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | 2002/95/EC | |
| Anchura | 5.85mm | |
| Altura | 2.1mm | |
| Longitud | 28.95mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Doble N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 95V | ||
Encapsulado LBB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares 2002/95/EC | ||
Anchura 5.85mm | ||
Altura 2.1mm | ||
Longitud 28.95mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El FET LDMOS de 120 W de STMicroelectronics, diseñado para comunicaciones comerciales de banda ancha, radiodifusión de TV, aeronáutica y aplicaciones industriales con frecuencias de HF a 1,5 GHz. Se puede utilizar en clase AB/B y clase C para todos los formatos de modulación típicos.
Operaciones de alta eficiencia y ganancia lineal
Protección contra ESD integrada
Amplio rango de tensión de fuente o puerta positiva y negativa
Excelente estabilidad térmica, baja deriva HCI
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