Transistor MOSFET Renesas Electronics 2SK1317-E, VDSS 1.500 V, ID 7 A, SC-65 de 3 pines
- Código RS:
- 261-5961
- Nº ref. fabric.:
- 2SK1317-E
- Fabricante:
- Renesas Electronics
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 10/09/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio Unidad
6,07 €
(exc. IVA)
7,34 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad |
| 1 - 4 | 6,07 € |
| 5 - 9 | 5,94 € |
| 10 - 29 | 5,49 € |
| 30 - 249 | 4,53 € |
| 250 + | 3,94 € |
- Código RS:
- 261-5961
- Nº ref. fabric.:
- 2SK1317-E
- Fabricante:
- Renesas Electronics
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- MY
Datos del Producto
El canal N Renesas 2SK1317-E es un MOSFET de conmutación de potencia de alta velocidad. El MOSFET de canal N de silicio tiene una corriente de accionamiento baja y una alta tensión de ruptura, es decir, (Vdss=1.500 V).Es adecuado para regulador de conmutación, convertidor dc-dc y controlador de motor.
Temperatura de funcionamiento (máx.) = 150 °C
Disipación de potencia máxima = 100 W
Tensión de umbral de puerta máxima = 4 V
Disipación de potencia máxima = 100 W
Tensión de umbral de puerta máxima = 4 V
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 7 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 1.500 V |
| Tipo de Encapsulado | SC-65 |
| Serie | 2SK1317 |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 12 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Si |
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