MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD028N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 139 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

9,66 €

(exc. IVA)

11,69 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1980 unidad(es) más para enviar a partir del 30 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 451,932 €9,66 €
50 - 1201,604 €8,02 €
125 - 2451,488 €7,44 €
250 - 4951,39 €6,95 €
500 +1,066 €5,33 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
262-5863
Nº ref. fabric.:
IPD028N06NF2SATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

139A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

IPD

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.15mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de potencia de canal N de Infineon está optimizado para una amplia gama de aplicaciones y se ha probado al 100 por ciento contra avalanchas.

Chapado de cable sin plomo

Conformidad con RoHS

Sin halógenos conforme a IEC61249-2-21

Enlaces relacionados