MOSFET Vishay SIHH085N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 30 A, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines, 2elementos
- Código RS:
- 268-8300
- Nº ref. fabric.:
- SIHH085N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
6,604 €
(exc. IVA)
7,991 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
|---|---|---|
| 3000 + | 6,604 € | 19.812,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 268-8300
- Nº ref. fabric.:
- SIHH085N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
El MOSFET de potencia de la serie EF de Vishay con diodo de cuerpo rápido y tecnología de la serie E de 4 generaciones que reduce las pérdidas de conmutación y conducción y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y corrección de factor de potencia
Baja capacitancia efectiva
Energía nominal de avalancha
Baja cifra de mérito
Energía nominal de avalancha
Baja cifra de mérito
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 30 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | PowerPAK 8 x 8 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 4 |
| Modo de Canal | Mejora |
| Material del transistor | Silicio |
| Número de Elementos por Chip | 2 |
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