MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQSA82CENW-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 16 A, Mejora, POWERPAK 1212-8W de 8 pines

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Código RS:
268-8374
Nº ref. fabric.:
SQSA82CENW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

SQS

Encapsulado

POWERPAK 1212-8W

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.073Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Tensión directa Vf

0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

27W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia TrenchFET de canal N de automoción de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Se trata de un MOSFET de configuración única y un dispositivo de tipo de montaje en superficie.

Certificación AEC Q101

Conforme con ROHS

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