MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC010N04LSATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
273-2625
Nº ref. fabric.:
BSC010N04LSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TDSON

Serie

OptiMOS 5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

139W

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

95nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.1mm

Anchura

5.35 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.1mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de Infineon es de 40 V y canal N. Este MOSFET está optimizado para la rectificación síncrona y tiene una mayor fiabilidad de la junta de soldadura gracias a la interconexión de fuente ampliada. Está cualificado según JEDEC para aplicaciones de destino.

Sin halógenos

Conformidad con RUSP

Chapado sin plomo

Resistencia de encendido muy baja

Resistencia térmica superior

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