MOSFET Infineon BSC010N04LSATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 906-4381
Nº ref. fabric.:: BSC010N04LSATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSC010N04LSATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

40 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

1,659 €

(exc. IVA)

2,007 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 40	1,659 €	16,59 €
50 - 90	1,576 €	15,76 €
100 - 240	1,509 €	15,09 €
250 - 490	1,443 €	14,43 €
500 +	1,343 €	13,43 €

*precio indicativo

Código RS:: 906-4381
Nº ref. fabric.:: BSC010N04LSATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

Datos del Producto

MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Serie	OptiMOS™ 5
Tipo de Encapsulado	TDSON
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,3 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Disipación de Potencia Máxima	139 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Longitud	6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	95 nC a 10 V
Ancho	5.35mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.1mm
Tensión de diodo directa	1V