MOSFET Infineon IMBG120R030M1HXTMA1

El MOSFET de Infineon reduce la complejidad y el coste del sistema. Este MOSFET dispone de un diodo de cuerpo robusto para conmutación dura, tensión de umbral de puerta de referencia de 4,5 V, contacto de detección para un rendimiento de conmutación optimizado y tecnología de interconexión .XT para lograr el mejor rendimiento térmico posible. La distancia de desplazamiento y separación del encapsulado es superior a 6,1 mm.

Mejora de la eficiencia
Reducción del esfuerzo de refrigeración
Mayor densidad de potencia
Pérdidas de conmutación muy bajas
Permite una frecuencia más alta
Resistente ante encendidos parásitos