MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-3018
- Nº ref. fabric.:
- IPP039N10N5AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
6,00 €
(exc. IVA)
7,26 €
(inc.IVA)
Añade 32 unidades para conseguir entrega gratuita
Disponible
- Disponible(s) 380 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 3,00 € | 6,00 € |
| 10 - 18 | 2,73 € | 5,46 € |
| 20 - 24 | 2,675 € | 5,35 € |
| 26 - 48 | 2,50 € | 5,00 € |
| 50 + | 2,305 € | 4,61 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-3018
- Nº ref. fabric.:
- IPP039N10N5AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PG-TO220-3 | |
| Serie | OptiMOSa5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 188W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 76nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PG-TO220-3 | ||
Serie OptiMOSa5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 188W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 76nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de Infineon en un encapsulado TO-220 es ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona.
Eficiencia del sistema más alta
Pérdidas de conmutación y conducción reducidas
Menos paralelismo necesario
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines