MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines

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Código RS:
273-3018
Nº ref. fabric.:
IPP039N10N5AKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOSa5

Encapsulado

PG-TO220-3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

188W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

76nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de Infineon en un encapsulado TO-220 es ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona.

Eficiencia del sistema más alta

Pérdidas de conmutación y conducción reducidas

Menos paralelismo necesario

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