MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 36.23 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-3020
- Nº ref. fabric.:
- IPP65R060CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-3020
- Nº ref. fabric.:
- IPP65R060CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 36.23A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Serie | IPP | |
| Encapsulado | PG-TO220-3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 171W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 68nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, RoHS | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 36.23A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Serie IPP | ||
Encapsulado PG-TO220-3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 171W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 68nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, RoHS | ||
El MOSFET de superunión MOS CFD7 de 650 V frío de Infineon en un encapsulado TO-220 es ideal para topologías de resonancia en aplicaciones industriales, como servidores, telecomunicaciones, estaciones de carga solar y EV, en las que permite una mejora significativa de la eficiencia
Excelente robustez de conmutación difícil
Margen de seguridad adicional para diseños con mayor tensión de bus
Permite aumentar la densidad de potencia
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