MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP65R190CFD7AAKSA1, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines

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Código RS:
273-3021
Nº ref. fabric.:
IPP65R190CFD7AAKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

14A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

IPP65R190CFD7A

Encapsulado

PG-TO220-3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

77W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

AECQ101, RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia SJ de automoción de canal N MOS frío de 650 V de Infineon. Tiene la máxima fiabilidad en el campo que cumple los requisitos de vida útil de la automoción.

Permite diseños de mayor densidad de potencia

Cartera granular disponible

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