MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP65R060CFD7XKSA1, VDSS 700 V, ID 36.23 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines

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Código RS:
273-3019
Nº ref. fabric.:
IPP65R060CFD7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

36.23A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

PG-TO220-3

Serie

IPP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

60mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

171W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

68nC

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

JEDEC, RoHS

El MOSFET de superunión MOS CFD7 de 650 V frío de Infineon en un encapsulado TO-220 es ideal para topologías de resonancia en aplicaciones industriales, como servidores, telecomunicaciones, estaciones de carga solar y EV, en las que permite una mejora significativa de la eficiencia

Excelente robustez de conmutación difícil

Margen de seguridad adicional para diseños con mayor tensión de bus

Permite aumentar la densidad de potencia

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