MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAN60R180CM8XKSA1, VDSS 600 V, ID 48 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- Código RS:
- 348-987
- Nº ref. fabric.:
- IPAN60R180CM8XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,914 € | 9,57 € |
| 50 - 95 | 1,816 € | 9,08 € |
| 100 - 495 | 1,684 € | 8,42 € |
| 500 - 995 | 1,55 € | 7,75 € |
| 1000 + | 1,494 € | 7,47 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 348-987
- Nº ref. fabric.:
- IPAN60R180CM8XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 48A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPA | |
| Encapsulado | PG-TO220-3 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 180mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 25W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 48A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPA | ||
Encapsulado PG-TO220-3 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 180mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 25W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
La plataforma CoolMOS de 8.ª generación de Infineon es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superconexión y de la que Infineon Technologies es pionera. La serie CoolMOS CM8 de 600 V es la sucesora de la CoolMOS 7. Combina las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida con una excelente facilidad de uso, por ejemplo, baja tendencia a la oscilación, implementación de un diodo de cuerpo rápido (CFD) en todos los productos, robustez frente a la conmutación dura y capacidad ESD excelentes.
Reducción significativa de las pérdidas por conmutación y conducción
Gestión térmica simplificada gracias a nuestra avanzada técnica de fijación de chip
Apto para una amplia variedad de aplicaciones y gamas de potencia
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