MOSFET, N-Canal Infineon IPP039N10N5AKSA1, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-3017
- Nº ref. fabric.:
- IPP039N10N5AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 + | 2,051 € | 102,55 € |
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- Código RS:
- 273-3017
- Nº ref. fabric.:
- IPP039N10N5AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PG-TO220-3 | |
| Serie | OptiMOSa5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 188W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 76nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PG-TO220-3 | ||
Serie OptiMOSa5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 188W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 76nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de Infineon en un encapsulado TO-220 es ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona.
Eficiencia del sistema más alta
Pérdidas de conmutación y conducción reducidas
Menos paralelismo necesario
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