MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP039N10N5AKSA1, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

102,55 €

(exc. IVA)

124,10 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 350 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
50 +2,051 €102,55 €

*precio indicativo

Código RS:
273-3017
Nº ref. fabric.:
IPP039N10N5AKSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOSa5

Encapsulado

PG-TO220-3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

188W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

76nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de Infineon en un encapsulado TO-220 es ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona.

Eficiencia del sistema más alta

Pérdidas de conmutación y conducción reducidas

Menos paralelismo necesario

Enlaces relacionados