MOSFET, N-Canal Infineon IRFS7537TRLPBF, VDSS 60 V, ID 173 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
273-3029
Nº ref. fabric.:
IRFS7537TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

173A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.30mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

230W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

142nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 173 A - IRFS7537TRLPBF


Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de alta corriente diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en sistemas electrónicos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos hostiles y proporciona un manejo de potencia considerable para aplicaciones que requieren una conducción eficiente y un comportamiento de accionamiento de puerta controlado.

Características y ventajas:


• La disipación de potencia de 230 W permite un funcionamiento de alta carga sostenido
• La Rds(on) de 3,30 mΩ minimiza las pérdidas por conducción para mayor eficiencia
• La carga de puerta de 142 nC admite un rendimiento de conmutación predecible
• La tolerancia de tensión de puerta de 20 V protege contra transitorios de sobrecarga
• La tensión directa de 1,2 V reduce la caída de tensión en las vías de conducción

Aplicaciones


• Apto para accionamientos de motor de DC en sistemas de control industrial
• Ideal para fuentes de alimentación y convertidores de alta corriente
• Se utiliza con electrónica de automoción que requiere un amplio rango de temperaturas
• Se puede utilizar para etapas de potencia de modo conmutado en inversores
• Útil en módulos de distribución de potencia gestionados térmicamente

¿Cuáles son los límites de funcionamiento térmico para un uso fiable?


El dispositivo admite un funcionamiento de –55 a 175 °C.

¿Cómo afecta el tipo de encapsulado al montaje y la gestión térmica?


El encapsulado de montaje en superficie TO-263 permite el montaje en PCB de perfil bajo y una transferencia de calor eficiente a los planos de cobre.

¿Qué características del canal determinan la polaridad de conmutación?


Se trata de un transistor de modo de mejora de canal N que requiere un accionamiento de puerta positivo para conducir.

¿Qué capacidad de corriente continua de pico se puede esperar en circuitos de altas prestaciones?


El componente está especificado para corrientes de drenaje continuas de hasta 173 A.

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