MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STK184N4F7AG, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, ECOPACK de 4 pines

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Código RS:
273-5096
Nº ref. fabric.:
STK184N4F7AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

STripFETTM F7

Encapsulado

ECOPACK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.0mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

35nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.2mm

Longitud

6.2mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Anchura

4.8 to 5 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de canal N de grado de automoción de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de trinchera mejorada que resulta en una resistencia de estado encendido muy baja, al tiempo que reduce la capacidad interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.

Calificación AEC-Q101

Excelente FoM

Alta resistencia a avalanches

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