MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora de 4 pines

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Código RS:
239-5537
Nº ref. fabric.:
STK130N4LF7AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

STK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

40 V

Disipación de potencia máxima Pd

105W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

26nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

UL

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de canal N de grado de automoción de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de trinchera mejorada que resulta en una resistencia de estado encendido muy baja, al tiempo que reduce la capacidad interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.

Certificación AEC-Q101

Uno de los RDS(on) más bajos del mercado

Excelente FoM (cifra de mérito)

Baja relación Crss/Ciss para inmunidad a EMI

Alta robustez ante avalanchas

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