MOSFET Vishay, N-Canal SIS9446DN-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 34 A, 1212-8, Mejora de 8 pines, 2
- Código RS:
- 279-9977
- Nº ref. fabric.:
- SIS9446DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,948 € | 9,74 € |
| 50 - 95 | 1,462 € | 7,31 € |
| 100 - 245 | 1,298 € | 6,49 € |
| 250 - 995 | 1,272 € | 6,36 € |
| 1000 + | 1,252 € | 6,26 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 279-9977
- Nº ref. fabric.:
- SIS9446DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | 1212-8 | |
| Serie | SIS9446DN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 40V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | 100 percent Rg and UIS tested, AEC-Q101, RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado 1212-8 | ||
Serie SIS9446DN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 40V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares 100 percent Rg and UIS tested, AEC-Q101, RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es un MOSFET de canal N doble y el transistor que contiene está fabricado de un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Probado al 100 % Rg y UIS
Reduce la pérdida de potencia relacionada con la conmutación
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
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