Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISH103DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 54 A, Mejora, 1212-8 de 8 pines

Código RS:: 279-9980
Nº ref. fabric.:: SISH103DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISH103DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 54 A, Mejora, 1212-8 de 8 pines

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Código RS:: 279-9980
Nº ref. fabric.:: SISH103DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	54A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	1212-8
	Serie	SISH
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.0089Ω
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	41.6W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	72nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	3.3mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 54A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado 1212-8
	Serie SISH
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0089Ω
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 41.6W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 72nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 3.3mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - SISH103DN-T1-GE3

El MOSFET de Vishay es de canal P y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

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