MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISH103DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 54 A, Mejora, 1212-8 de 8 pines
- Código RS:
- 279-9981
- Nº ref. fabric.:
- SISH103DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
8,63 €
(exc. IVA)
10,44 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 5950 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,863 € | 8,63 € |
| 50 - 90 | 0,634 € | 6,34 € |
| 100 - 240 | 0,562 € | 5,62 € |
| 250 - 990 | 0,551 € | 5,51 € |
| 1000 + | 0,539 € | 5,39 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 279-9981
- Nº ref. fabric.:
- SISH103DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 54A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | 1212-8 | |
| Serie | SISH | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0089Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 72nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 41.6W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 54A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado 1212-8 | ||
Serie SISH | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0089Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 72nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 41.6W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de canal P y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, 1212-8 de 8 pines
- MOSFET Vishay VDSS 60 V PowerPAK 1212-8, Mejora de 8 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines